Tranzystor STMicroelectronics STF10N60M2 5szt

Artykuły oznaczone jako powystawowe mogą nosić większe lub mniejsze ślady użytkowania. W przypadku potrzeby uzyskania informacji szczegółowej dot. stanu produktu prosimy o kontakt: dok@gecon.net.pl lub skorzystanie z przycisku "Zapytaj o produkt".

Tranzystor STMicroelectronics STF10N60M2 5szt

Specyfikacje

Tranzystor STF10N60M2 to N-kanałowy tranzystor mocy MOSFET firmy STMicroelectronics, oparty na technologii MDmesh M2. Dzięki swojej strukturze oferuje niską rezystancję w stanie włączenia oraz zoptymalizowane parametry przełączania, co czyni go odpowiednim dla wymagających aplikacji konwerterów o wysokiej sprawności.

Najważniejsze parametry STF10N60M2:

• Maksymalne napięcie dren-źródło (VDS): 600 V
• Maksymalny ciągły prąd drenu (ID): 7,5 A przy TC = 25°C
• Rezystancja w stanie włączenia (RDS(on)): 0,55 Ω typowo, 0,60 Ω maksymalnie przy VGS = 10 V i ID = 3 A
• Ładunek bramki (Qg): 13,5 nC przy VDD = 480 V, ID = 7,5 A, VGS = 0 do 10 V
• Pojemność wejściowa (Ciss): 400 pF przy VDS = 100 V, f = 1 MHz, VGS = 0 V
• Napięcie progowe bramki (VGS(th)): 2 V min., 3 V typ., 4 V maks. przy ID = 250 µA
• Obudowa: TO-220FP

Dodatkowe cechy:

• Bardzo niskie ładunki bramki
• Doskonały profil pojemności wyjściowej (Coss)
• 100% testowany pod kątem lawiny
• Zabezpieczenie Zenera

Stan techniczny/wizualny:

• Sprawny technicznie
• Zdjęcia przedstawiają rzeczywisty stan wizualny
• Sprzedaży dotyczy to co jest widoczne na zdjęciach